BSZ180P03NS3EGATMA1

Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2220 pF @ 15 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 48µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta), 39.5A (Tc)
最大功耗	2.1W (Ta), 40W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)