BSZ105N04NSG

Infineon Technologies

BSZ105N04NSG

模拟与电源

OPTLMOS POWER-MOSFET

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 20 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™3
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 14µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 40A (Tc)
最大功耗2.1W (Ta), 35W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TSDSON-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)