BSZ076N06NS3G

Infineon Technologies

BSZ076N06NS3G

模拟与电源

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™ 3
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 35µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗2.1W (Ta), 69W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PG-TSDSON-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)