BSS225

Infineon Technologies

BSS225

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89

停产/老旧TO-243AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs45Ohm @ 90mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds131 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列SIPMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 94µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90mA (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
供应商器件封装PG-SOT89

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)