BSS223PWL6327

Infineon Technologies

BSS223PWL6327

模拟与电源

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

在产SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds56 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1.5µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C390mA (Ta)
最大功耗250mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装PG-SOT323-3-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)