BSS215P H6327

Name: BSS215P H6327
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	346 pF @ 15 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™P2
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	0.6V @ 11µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
最大功耗	500mW (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)