BSS209PW

Infineon Technologies

BSS209PW

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3

停产/老旧SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 580mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds89.9 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 3.5µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C580mA (Ta)
最大功耗520mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装PG-SOT323

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)