BSS127IXTSA1

Infineon Technologies

BSS127IXTSA1

Datasheet

模拟与电源

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 16mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 8µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21mA (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装PG-SOT-23-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)