BSS123IXTSA1

Infineon Technologies

BSS123IXTSA1

Datasheet

模拟与电源

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 190mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 13µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装PG-SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)