BSS119 E6433

Infineon Technologies

BSS119 E6433

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 170mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds78 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列SIPMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 50µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170mA (Ta)
最大功耗360mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装PG-SOT23

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)