BSP89 E6327

Infineon Technologies

BSP89 E6327

模拟与电源

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 350mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列SIPMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 108µA

电气

漏源电压240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
最大功耗1.8W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)