BSP603S2LNT

Infineon Technologies

BSP603S2LNT

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 2.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1390 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 50µA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Ta)
最大功耗1.8W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223-4-21

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)