BSP372NH6327XTSA1

Name: BSP372NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 1.8A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	329 pF @ 25 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 218µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
最大功耗	1.8W (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)