BSO303PHXUMA1

Infineon Technologies

BSO303PHXUMA1

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8.2A, 10V
基础料号BSO303
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2678pF @ 25V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 100µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A
Power - Max2W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装PG-DSO-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)