BSO211PHXUMA1

Infineon Technologies

BSO211PHXUMA1

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 4.6A, 4.5V
基础料号BSO211
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1095pF @ 15V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 25µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max1.6W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装PG-DSO-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)