BSO203SPNT

Infineon Technologies

BSO203SPNT

模拟与电源

P-CHANNEL POWER MOSFET

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 9A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2265 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 50µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
最大功耗2.35W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装PG-DSO-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)