BSO051N03MSGXUMA1

Infineon Technologies

BSO051N03MSGXUMA1

模拟与电源

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.1mOhm @ 18A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™3 M
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A
最大功耗2.5W

机械

封装Bulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装PG-DSO-8

环境

工作温度-55°C~150°C