BSM25GB120DN2

Infineon Technologies

BSM25GB120DN2

模拟与电源

IGBT MODULE

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

配置Half Bridge
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce1.65 nF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Chassis Mount
NTC ThermistorNo
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)38 A
Current - Collector Cutoff (Max)800 µA
Power - Max200 W

机械

封装Bulk
Package / CaseModule
供应商器件封装Module

环境

工作温度150°C (TJ)