BSF134N10NJ3G

Name: BSF134N10NJ3G
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

BSF134N10 - 12V-300V N-CHANNEL P

在产DirectFET™ Isometric MX模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4mOhm @ 30A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 50 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta), 40A (Tc)
最大功耗	2.2W (Ta), 43W (Tc)

工作温度	-40°C~150°C(TJ)