BSF077N06NT3GXUMA1

Infineon Technologies

BSF077N06NT3GXUMA1

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 13A/56A 2WDSON

停产/老旧3-WDSON模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.7mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 33µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 56A (Tc)
最大功耗2.2W (Ta), 38W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-WDSON
供应商器件封装MG-WDSON-2, CanPAK M™

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)