BSD816SN L6327

Name: BSD816SN L6327
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

在产6-VSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 1.4A, 2.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	180 pF @ 10 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™2
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	0.95V @ 3.7µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Ta)
最大功耗	500mW (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)