BSD235CH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSD235CH6327XTSA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363

在产6-VSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 950mA, 4.5V
基础料号BSD235
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.34nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds47pF @ 10V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1.6µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA, 530mA
Power - Max500mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装PG-SOT363-6-1

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)