BSD223P

Infineon Technologies

BSD223P

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

停产/老旧6-VSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
基础料号BSD223
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds56pF @ 15V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1.5µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C390mA
Power - Max250mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装PG-SOT363-PO

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)