BSD214SNL6327

Infineon Technologies

BSD214SNL6327

模拟与电源

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

在产6-VSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds143 pF @ 10 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 3.7µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装PG-SOT363-6-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)