BSC884N03MSG

Infineon Technologies

BSC884N03MSG

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压34 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 85A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 50W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-1

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)