BSC190N12NS3GATMA1

Infineon Technologies

BSC190N12NS3GATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 39A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 60 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 42µA

电气

漏源电压120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.6A (Ta), 44A (Tc)
最大功耗69W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-1

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)