BSC097N06NSATMA1

Name: BSC097N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7mOhm @ 40A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1075 pF @ 30 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.3V @ 14µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	46A (Tc)
最大功耗	2.5W (Ta), 36W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)