BSC050NE2LSATMA1

Infineon Technologies

BSC050NE2LSATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 12 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C39A (Ta), 58A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 28W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-5

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)