BSC019N02KSGAUMA1

Infineon Technologies

BSC019N02KSGAUMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON

已停产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.95mOhm @ 50A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13000 pF @ 10 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 350µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta), 100A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 104W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-1

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)