BSC014N04LSTATMA1

Infineon Technologies

BSC014N04LSTATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON

已停产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6020 pF @ 20 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 100A (Tc)
最大功耗3W (Ta), 115W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8 FL

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)