BSC010N04LSATMA1

Name: BSC010N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1mOhm @ 50A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6800 pF @ 20 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

漏源电压	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	38A (Ta), 100A (Tc)
最大功耗	2.5W (Ta), 139W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)