BSC007N04LS6SCATMA1

Infineon Technologies

BSC007N04LS6SCATMA1

模拟与电源

TRENCH <= 40V

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.7mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8400 pF @ 20 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™ 6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Ta), 381A (Tc)
最大功耗3W (Ta), 188W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8 FL

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)