BSB280N15NZ3G

Infineon Technologies

BSB280N15NZ3G

模拟与电源

BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P

在产DirectFET™ Isometric MX模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 75 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 60µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 30A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 57W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MX
供应商器件封装MG-WDSON-2-5

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)