BSB165N15NZ3G

Infineon Technologies

BSB165N15NZ3G

模拟与电源

BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P

在产DirectFET™ Isometric MZ模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 75 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 110µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 45A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 78W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MZ
供应商器件封装MG-WDSON-2-9

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)