BSB053N03LPG

Infineon Technologies

BSB053N03LPG

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产3-WDSON模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 71A (Tc)
最大功耗2.3W (Ta), 42W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case3-WDSON
供应商器件封装MG-WDSON-2, CanPAK M™

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)