BSB028N06NN3GXUMA1

Infineon Technologies

BSB028N06NN3GXUMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON

在产3-WDSON模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 102µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta), 90A (Tc)
最大功耗2.2W (Ta), 78W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-WDSON
供应商器件封装MG-WDSON-2, CanPAK M™

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)