BSB012NE2LX

Infineon Technologies

BSB012NE2LX

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON

停产/老旧3-WDSON模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4900 pF @ 12 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Ta), 170A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 57W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-WDSON
供应商器件封装MG-WDSON-2, CanPAK M™

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)