通用
| 制造商 | Infineon Technologies |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
| Power - Max | 580mW |
| Frequency - Transition | 7.5GHz |
| Gain | 12.5dB ~ 13.5dB |
机械
| 封装 | Box |
|---|---|
| Package / Case | MICRO-X1 |
| 供应商器件封装 | MICRO-X1 |
环境
| 工作温度 | 200°C (TJ) |
|---|