AUIRLU3110Z

Infineon Technologies

AUIRLU3110Z

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

停产/老旧TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 38A, 10V
基础料号AUIRLU3110
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3980 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
最大功耗140W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装I-PAK

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)