AUIRFSL4010

Infineon Technologies

AUIRFSL4010

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N CH 100V 180A TO262

已停产TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 106A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9575 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusNot For New Designs
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
最大功耗375W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
供应商器件封装TO-262

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)