AUIRFN8458TR

Infineon Technologies

AUIRFN8458TR

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN

已停产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 26A, 10V
基础料号AUIRFN8458
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 25µA

电气

漏源电压40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43A (Tc)
Power - Max34W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)