AUIRF8739L2TR

Infineon Technologies

AUIRF8739L2TR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET

在产DirectFET™ Isometric L8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.6mOhm @ 195A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs562 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17890 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)40V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C57A (Ta), 545A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 340W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDirectFET™ Isometric L8
供应商器件封装DirectFET™ Isometric L8

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)