AUIRF7640S2TR

Infineon Technologies

AUIRF7640S2TR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET

在产DirectFET™ Isometric SB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 25µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Ta), 21A (Tc)
最大功耗2.4W (Ta), 30W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDirectFET™ Isometric SB
供应商器件封装DIRECTFET SB

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)