AIMBG120R080M1XTMA1

Infineon Technologies

AIMBG120R080M1XTMA1

Datasheet

模拟与电源

SIC_DISCRETE

在产TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号AIMBG120
FET TypeN-Channel
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列448
技术SiCFET (Silicon Carbide)

电气

漏源电压1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A

机械

Package / CaseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装PG-TO263-7-12

环境

工作温度-55°C ~ 175°C