通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
| 基础料号 | 5962F1120102 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 72Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 250 MHz |
| 供电电压 | 1.7V ~ 1.9V |
| Memory Organization | 4M x 18 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 165-BFCPGA |
| 供应商器件封装 | 165-CCGA (21x25) |
环境
| 工作温度 | -55°C~125°C(TA) |
|---|