通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 17A, 5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 30 V |
| 制造商 | Harris Corporation |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | 在产 |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| 最大功耗 | 60W (Tc) |
机械
| Package / Case | TO-220-3 |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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