RFM15N05L

Harris Corporation

RFM15N05L

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-204AA, TO-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 7.5A, 5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 25 V
制造商Harris Corporation
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
最大功耗75W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-204AA, TO-3
供应商器件封装TO-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)