RF1S23N06LE

Name: RF1S23N06LE
Brand: Harris Corporation

模拟与电源

23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL

在产TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 23A, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850 pF @ 25 V
制造商	Harris Corporation
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)
最大功耗	75W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)