RF1S15N06SM

Harris Corporation

RF1S15N06SM

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
制造商Harris Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263AB