IRFF232

Harris Corporation

IRFF232

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-205AF Metal Can模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
制造商Harris Corporation
安装类型Through Hole
包装Bulk
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
最大功耗25W

机械

Package / CaseTO-205AF Metal Can
供应商器件封装TO-205AF (TO-39)